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不改变工艺让芯片面积减少 30%,三星组建团队开发 4F? DRAM

2023-05-26 15:00:14
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4Fquar是一种单元结构技术,DRA行业早在10年前就尝试商业化,但最后以失败告终。三星组建了专业的团队,研发4F?结构。指股网从韩媒报道中获悉,晶体管根据电流流入和流出的方向,形成源极()、栅极(G)和漏极(D)整套系统。在漏极(D)上方安装一个存储电荷的电容器,晶体管
4FSquare是一种单元结构技术,DRAM行业早在10年前就尝试商业化,但最后以失败告终。三星组建了专业的团队,研发4F?结构。指股网从韩媒报道中获悉,晶体管根据电流流入和流出的方向,形成源极(S)、栅极(G)和漏极(D)整套系统。在漏极(D)上方安装一个存储电荷的电容器,晶体管和水平排列的WL线和垂直排列的BL线接触,其中WL连接到栅极(G),负责晶体管的开/关;而BL连接到源极(S),负责读取和写入数据。

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