ASML 证实今年将向台积电交付价值 3.8 亿美元的高 NA EUV 光刻机

与之形成鲜明对比的是，全世界最大的芯片代工巨头台积电则似乎并不急于加入这场技术竞赛。今年早些时候，台积电在荷兰举行的一次活动被问及是否有计划购买类似机器时明确表示反对。台积电当时提到，他们在未来几年内都不需要这种高端的EUV光刻机，而且价格也实在是过于高昂。之前还有分析师预测，台积电可能要到2030年甚至更晚才会采用这项技术。▲ASML高数值孔径极紫外光刻机，图片来源：ASML经过几个月的争议，台积电似乎已经改变观念，至少ASML发言人莫妮克?莫尔斯（MoniqueMols）称该公司将于今年向台积电交付价值3.8亿美元（指股网备注：当前约27.53亿元人民币）的High-NAEUV光刻机。她提到，ASML首席财务官罗杰?达森（RogerDassen）证实ASML的两大客户台积电和英特尔公司将在今年年底前收到High-NAEUV光刻机。受此消息影响，ASML开盘后上涨逾6%。英特尔早在2022年就宣布已签署合同购买了5台这种设备（TWINSCANNXE:3600D），用于在2025年生产Intel18A芯片。就目前来看，先进光刻技术是衡量芯片制造上限的关键因素，而这种High-NA光刻技术有望降低66%的尺寸大小。而在芯片制造领域，虽然目前的3nm、5nm已经不代表实际栅极宽度，但肯定还是越小越好。据悉，这款新型EUV系统可实现0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统（TWINSCANNXE:3400B和NXE:3400C）相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化。ASML官方曾透露，这种High-NA机器将比现有机器大30%，而之前的机器已经大到难以想象，甚至需要三架波音747来装载它们。台积电此前宣布，其2nm节点进展顺利，并计划于2025下半年推出N3X、N2制程，并将在2026下半年量产N2P和A16制程。与3nm制程节点不同，台积电2nm制程将使用Gate-all-aroundFETs（GAAFET）晶体管，台积电称相比3nm工艺会有10%到15%的性能提升，还可以将功耗降低25%到30%。相关阅读：《《《广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，指股网所有文章均包含本声明。