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结合 N12FFC+ 和 N5 工艺,台积电已着手准备 HBM4 基础 Dies

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2024-05-17 09:02:30
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指股网翻译台积电设计与技术平台高级总监内容如下:我们正与主要的H存储器合作伙伴(美光、三星、Khyix)合作,在先进节点上实现H4全堆栈集成。12FFC+基础Di在满足H性能要求的情况下具备成本优势,而5基础Di又可以在更低功耗下达到H4预期速度。采用台积电12FFC+工艺(源自该公
指股网翻译台积电设计与技术平台高级总监内容如下:我们正与主要的HBM存储器合作伙伴(美光、三星、SKhynix)合作,在先进节点上实现HBM4全堆栈集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能要求的情况下具备成本优势,而N5基础Dies又可以在更低功耗下达到HBM4预期速度。采用台积电12FFC+工艺(源自该公司成熟的16纳米FinFET技术)制造的基础芯片将能够构建12-Hi和16-HiHBM4存储器堆栈,容量分别为48GB和64GB。使用12FFC+工艺将实现"高性价比"的基础芯片,这些芯片将使用硅内插件将内存连接到主机处理器。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

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