首页
要闻详情
图标图标

消息称三星、SK 海力士推进移动内存堆叠封装技术量产,满足端侧 AI 需求

亚汇网亚汇网
关注
2024-04-10 06:00:42
540
端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题,而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRA性能。堆叠芯片作为一种在H内存上行之有效的策略被纳入考虑。然而,以LDDR为代表的移动DRA芯片较小,不适合与H相同的TV(指股网注:硅通孔)连接方案;同时H制造工艺的高成本低良率特
端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题,而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRAM性能。堆叠芯片作为一种在HBM内存上行之有效的策略被纳入考虑。然而,以LPDDR为代表的移动DRAM芯片较小,不适合与HBM相同的TSV(指股网注:硅通孔)连接方案;同时HBM制造工艺的高成本低良率特性也不能满足高产能移动DRAM的需求。因此三星电子、SK海力士采用了另一种先进封装方式来实现移动DRAM芯片堆叠,也就是垂直布线扇出技术VFO,该技术可提供更多的IO数据引脚。SK海力士方面表示VFO技术将FOWLP和DRAM堆叠两项技术结合,通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层DRAM间的传输路径,同时能效也有提升。▲图源SK海力士官网SK海力士给出的数据显示,其去年中的VFO技术验证样品在导线长度上仅有传统布线产品的不到1/4,能效也提升了4.9%。虽然该方案带来了额外1.4%的散热量,但封装厚度减少了27%。根据ETNews的说法,三星方面采用类似技术的产品是LLWDRAM。采用VFO技术的产品有望成为继HBM后的下一个AI内存热点。报道称三星计划于明年下半年实现LLWDRAM的量产;而SK海力士相关产品目前已在量产准备阶段。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

风险提示及免责声明

文章来源于亚汇网,转载注明原文出处,此文观点与指股网无关,理性阅读,版权属于原作者若无意侵犯媒体或个人知识产权,请联系我们,本站将在第一时间删掉 ,指股网仅提供信息存储空间服务。