感谢指股网网友除了技术演示外，VLSI研讨会还将包括演示会议、联合焦点会议、晚间小组讨论、短期课程、研讨会和特别论坛。届时还会有一些科技前沿的CMOS技术重点论文，例如“全球首个采用新型MBCFET技术的GAA3nm工艺（SF3）”。三星3nm技术之所以如此备受期待，是因为它实现从FinFET到Gate-All-Around晶体管架构的转变。据称，SF3相较4nmFinFET平台实现了22%频率提升、34%能效改进、21%面积微缩（PPA）。三星SF3技术是业界首款量产GAA工艺的升级版，采用多桥通道MBCFET（Multi-Bridge-ChannelFET）设计，可以为各种纳米片宽度提供相当不错的性能，在固定的标准单元高度下显著提高了芯片级的功耗性能矩阵，从而超越FinFET平台。根据韩国媒体的说法，三星2023-2024年将以3nm生产为主，即SF3(3GAP)及其改进版本SF3P(3GAP+)，其生产良率初期可维持在60-70%的范围内，而且该公司还计划于2025-2026年开始推出其2纳米级别节点。在三星与台积电都进入3nm制程的时代之后，未来3nm制程将会成为晶圆代工市场的主流。因此，预计到2025年之际，3nm制程市场的产值将会高达255亿美元（指股网备注：当前约1762.05亿元人民币），超越5nm时预估的193亿美元产值。图源Unsplash市场调查机构TrendForce的数据显示，2022年第三季，在全球晶圆代工市场中，台积电仍以53.4%市场份额稳居第一，排名第二的三星市场份额仅16.4%。所以，在市场激烈的竞争下，也使得3nm制程将成为未来两家公司主要竞争的关键。
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