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台积电 CoWoS 封装产能吃紧,芯片变大和 HBM 堆叠是两大挑战

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2024-05-20 13:30:18
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芯片变大集邦咨询预估英伟达推出的系列(包括G200、100、200),将消耗更多的CoWo封装产能。指股网此前报道,台积电增加了2024年全年的CoWo产能需求,预计到年底月产能将接近4万片,相比2023年的总产能增长超过150%。2025年的总产能有可能增长近一倍。不过英伟达发布的100和200
芯片变大集邦咨询预估英伟达推出的B系列(包括GB200、B100、B200),将消耗更多的CoWoS封装产能。指股网此前报道,台积电增加了2024年全年的CoWoS产能需求,预计到年底月产能将接近4万片,相比2023年的总产能增长超过150%。2025年的总产能有可能增长近一倍。不过英伟达发布的B100和B200芯片,中间层面积(interposerarea)将比以前更大,意味着12英寸晶圆切割出来的芯片数量减少,导致CoWoS的产能无法满足GPU需求。HBM业内人士表示HBM也是一大难题,采用EUV层数开始逐步增加,以HBM市占率第一的SK海力士为例,该公司于1α生产时应用单层EUV,今年开始转向1β,并有可能将EUV应用提升3~4倍。除技术难度提升外,随着HBM历次迭代,HBM中的DRAM数量也同步提升,堆叠于HBM2中的DRAM数量为4~8个,HBM3/3E则增加到8~12个,HBM4中堆叠的DRAM数量将增加到16个。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

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