阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案

ASML公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径EUV系统首次印刷出10纳米线宽（denseline）图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在现实生产环境中复制这一成果。”目前世界上仅有两台高数值孔径EUV光刻系统：一台由ASML公司在其荷兰埃因霍芬总部建造（该公司还与比利时领先的半导体研究机构Imec在此地联合设立了High-NA实验室），另一台则正在美国俄勒冈州Hillsboro附近英特尔公司的D1X晶圆厂组装。ASML公司似乎是第一家宣布使用高数值孔径EUV光刻系统成功进行图案化的公司，这对于整个半导体行业来说都是一个重大突破。值得一提的是，ASML公司的TwinscanEXE:5000型光刻机将仅用于其自身研发以及技术改进。英特尔公司则将利用其TwinscanEXE:5000型光刻机学习如何使用高数值孔径EUV光刻技术进行芯片量产。英特尔计划将其用于其18A(1.8nm级)制程工艺的研发，并将在未来的14A（1.4nm级）制程产线中部署下一代TwinscanEXE:5200型光刻机。与目前13nm分辨率的EUV光刻机相比，ASML公司配备0.55NA镜头的新型TwinscanEXE:5200型光刻机能够实现8nm的超高分辨率，这是一个显著的提升。这项技术允许在单次曝光下印刷出尺寸减小1.7倍、晶体管密度提高2.9倍的晶体管。相比之下，传统的低数值孔径(Low-NA)系统虽然可以达到相同的精度，但却需要使用昂贵的双重曝光技术。实现8nm制程对于制造计划在2025-2026年上市的3nm以下制程芯片至关重要。高数值孔径EUV技术的引入将消除对EUV双重曝光的需求，从而简化生产流程、有可能提高产量并降低成本。然而，每台高数值孔径光刻机的价格高达4亿美元（指股网备注：当前约28.96亿元人民币），并且在应用于尖端制程工艺的过程中会遇到诸多挑战。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，指股网所有文章均包含本声明。