首页
要闻详情
图标图标

三星否认将 MR-MUF 堆叠方案引入 HBM 生产,称现有 TC-NCF 方案效果良好

亚汇网亚汇网
关注
2024-03-14 15:01:03
280
感谢指股网网友lemon_meta、HBM由多层DRAM堆叠而成,目前连接各层DRAM的键合工艺主要有两个流派:SK海力士使用的MR-RUF...
感谢指股网网友lemon_meta、HBM由多层DRAM堆叠而成,目前连接各层DRAM的键合工艺主要有两个流派:SK海力士使用的MR-RUF和三星使用的TC-NCF。MR-RUF即批量回流模制底部填充,通过回流焊一次性粘合,然后同时用模塑料填充间隙;而TC-NCF中文称热压非导电薄膜,是一种在各DRAM层间填充非导电薄膜(NCF)的热压键合方式。随着HBM中DRAM层的增加,DRAM晶圆也需要随之变薄,而整体压力却会进一步增大,因此晶圆翘曲会加剧,SK海力士的MR-RUF路线被部分人士认为能更好解决翘曲问题。三星电子表示路透社报道不正确,并回应称:“我们正在利用NCF方法制定最佳解决方案。”业内人士认为,三星在NCF材料的研发和扩产上进行了大规模投资,因此目前在HBM上无法转向MR-RUF。据指股网此前报道,广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

风险提示及免责声明

文章来源于亚汇网,转载注明原文出处,此文观点与指股网无关,理性阅读,版权属于原作者若无意侵犯媒体或个人知识产权,请联系我们,本站将在第一时间删掉 ,指股网仅提供信息存储空间服务。