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ASML 着眼未来:考虑推出通用 EUV 光刻平台,覆盖不同数值孔径

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2024-05-23 15:02:10
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范登布林克在本月21~22日举行的2024年度icITFWorld技术论坛上表示:我们提出了一个长期(也许十年)的路线图:我们将拥有一个包含LowA(0.33A)、HighA(0.55A)和HyrA(预计为0.7A以上)UV系统的单一平台。根据瑞利判据公式,更高的数值孔径意味着更好的光刻分辨率。范登布林
范登布林克在本月21~22日举行的2024年度imecITFWorld技术论坛上表示:我们提出了一个长期(也许十年)的路线图:我们将拥有一个包含LowNA(0.33NA)、HighNA(0.55NA)和HyperNA(预计为0.7NA以上)EUV系统的单一平台。根据瑞利判据公式,更高的数值孔径意味着更好的光刻分辨率。范登布林克表示,未来的HyperNA光刻机将简化先进制程生产流程,规避通过HighNA光刻机双重图案化实现同等精度带来的额外步骤与风险。多种EUV光刻机共用一个基础平台,在降低开发成本的同时,也便于将Hyper-NA机台的技术改进向后移植到数值孔径更低的光刻机上。根据▲马丁?范登布林克像。图源imec官方领英账户动态此外,ASML还计划将其DUV和EUV光刻机的晶圆吞吐量从目前的每小时200~300片增加到每小时400~500片,从而提升单台光刻机的生产效率,在另一个侧面降低行业成本。在演讲中范登布林克还提到:“当前人工智能的发展趋势表明,消费者对多种应用有着强烈的需求。而限制需求的因素包括能耗、计算能力和所需的海量数据集。”广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

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