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消息称三星电子已提前组建 1dnm DRAM 内存技术开发团队,目标重建优势

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2024-05-09 15:00:42
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目前DRA内存行业的最新制程是10+系列的第五代工艺,即1;三大内存厂商——三星电子、K海力士和美光的下一代DRA工艺1c将于今年三季度至明年投入量产;而1d工艺又在1c之后,预计量产时间晚于2026年。三星电子在开发每代DRA工艺时,一般直到接近量产时的A(指股网注:rocArchitctu
目前DRAM内存行业的最新制程是10+nm系列的第五代工艺,即1bnm;三大内存厂商——三星电子、SK海力士和美光的下一代DRAM工艺1cnm将于今年三季度至明年投入量产;而1dnm工艺又在1cnm之后,预计量产时间晚于2026年。三星电子在开发每代DRAM工艺时,一般直到接近量产时的PA(指股网注:ProcessArchitecture,工艺架构)阶段才会组建包含半导体和工艺工程师的综合团队。而在1dnm节点上,团队召集时间提早了1~2年,目前该团队的规模在数百人左右。相较于目前的制程,1dnm工艺将提升EUV光刻的用量,难度随之加大。三星电子提前组建1dnmDRAM技术开发团队旨在加速量产准备过程,缩短工艺优化周期。自2020年来,三星电子难以在DRAM内存技术上维持领先:1anm节点上,美光率先量产;来到1bnm,三家量产时间大致相当;而在即将到来的1cnm节点,SK海力士有望取得领先。而在产品端,由于此前解散HBM内存研发团队的错误决定,三星电子目前在HBM3(E)内存的竞争中也处于落后地位。三星电子希望通过提前加大在1dnmDRAM开发上的人力资源投入,止住目前的颓势,重新建立起内存技术优势,并通过DRAM的技术升级推动HBM业务发展。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

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