英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

TheElec表示，ASML截至明年上半年绝大部分高数值孔径EUV设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。消息人士称，由于ASML的高数值孔径EUV设备产能每年约为5到6台，这意味着英特尔将获得所有初始库存，而英特尔的竞争对手三星和SK海力士预计将在明年下半年才能获得该设备。▲图源：ASML对于高数值孔径，指股网这里简单解释一下。光刻设备中的NA代表数值孔径，表示光学系统收集和聚光的能力。数值越高，聚光的能力就越强。相比于当前EUV设备的0.33数值孔径，新一代EUV设备的NA值直接增加到了0.55，拥有1.7倍于目前0.33NAEUV光刻机的一维密度，在二维尺度上可实现190%的密度提升。英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案主管菲利普斯表示，英特尔将于今年晚些时候将HighNAEUV光刻机投入制程开发工作。英特尔将在18A尺度的概念验证节点上对HighNAEUV和传统0.33NAEUV光刻的混合使用进行测试，并在之后的14A节点上进入商业化量产阶段。菲利普斯预测HighNAEUV光刻机至少可在三代的未来节点上沿用，从而将光刻技术的名义尺度突破到1nm以下量级。关于未来光刻技术发展，菲利普斯认为将光线波长进一步缩短至6.7nm会引入大量新的问题，包括明显更大的光学组件；在他眼中，更高的数值孔径（HyperNA）是可能的技术方向。对于HighNAEUV光刻带来的单芯片理论最大面积减小问题，菲利普斯表示英特尔正同EDA企业一道就芯片“缝合”技术进行开发，以方便设计师使用。▲图源：英特尔由于英特尔于2021年重新进入芯片代工市场，所以需要比其竞争对手更快地采用高数值孔径EUV技术来赢得客户的信任，不过英特尔代工业务去年亏损了70亿美元（当前约504.7亿元人民币），看起来还有很长的路要走。相关阅读：《《广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，指股网所有文章均包含本声明。