SK 海力士 CEO 郭鲁正：AI 存储芯片订单爆满，2025 年 HBM 产能基本售罄

感谢指股网网友SK海力士CEO郭鲁正表示，虽然目前AI需求以数据中心为主，但今后有望迅速扩散到智能手机、PC、汽车等端侧AI领域。因此，专门用于AI的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增。他表示，公司具备了HBM、基于TSV的高容量DRAM、高性能eSSD等各产品领域的业界最高技术领导力，今后将通过与全球合作伙伴保持合作提供定制顶级存储器解决方案。他还透露，公司今年的HBM产能已经全部售罄，明年订单也基本售罄。据称，SK海力士预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。SK海力士预测：进人工智能时代后，全球产生的数据总量预计将从2014年的15ZB（Zetabyte，泽字节）增长到2030年的660ZB。指股网注：Zetabyte即泽字节：泽它（Zetta）是表示10的21次方。ZB即为KB、MB、GB、TB、PB、EB之后的单位，每一个单位以1000为倍数增加(如1ZB=10亿TB)。SK海力士表示，面向AI的存储器收入比重也将大幅增加。HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储器市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。DRAM方面，SK海力士正在量产HBM3E和256GB以上的超高容量模块，世界最高速度的LPDDR5T也已实现商用。NAND方面，SK海力士也在业界唯一提供基于QLC的60TB以上SSD产品等，维持着世界顶级面相AI的存储器供应商地位。不止于此，SK海力士还在开发进一步改进的新型产品。据官方介绍，不仅是HBM4和HBM4E、LPDDR6、300TBSSD，SK海力士同时还在准备CXLPooled（池化）存储解决方案、PIM（Processing-In-Memory）等创新的存储器方案。▲SK海力士M15X新工厂鸟瞰图除此之外，SK海力士副社长（P&T担当）崔宇镇还介绍了HBM核心技术力量和美国先进封装项目的进展。他表示，虽然也有MR-MUF技术在高层堆叠方面可能会存在瓶颈的意见，但公司已经在使用先进（Advanced）MR-MUF技术量产12层堆叠HBM3产品。据称，MR-MUF技术与过去的工艺相比，将芯片堆叠压力降低至6%的程度，也缩短工序时间，将生产效率提高至4倍，散热率提高了45%；同时MR-MUF技术在维持MR-MUF优点的同时采用了新的保护材料，得以使散热性能改善10%。此外，SK海力士还计划在HBM4也采用先进MR-MUF技术，从而实现16层堆叠，正在积极研究混合键合（Hybridbonding）技术。关于美国投资的内容，SK海力士在上个月确定在印第安纳州西拉斐特建设面向AI的存储器先进封装生产基地，其中印第安纳工厂将从2028年下半年开始量产新一代HBM等面向AI的存储器产品。SK海力士副社长（制造和技术担当）金永式还介绍了其韩国清州M15x及龙仁半导体集群投资项目的进展。据介绍，M15x是一座双层晶圆厂，总面积达6万3000坪，将具备包括EUV在内的一站式HBM生产工艺。该项目与正在扩大TSV工艺生产能力的M15相邻，从而最大程度地提高HBM生产效率。SK海力士M15x工厂计划在明年11月竣工后，从2026年第三季度正式投入量产。对于占地面积达415万平方米的龙仁半导体集群，SK海力士计划依次建造四座工厂，并将引入国内外原材料、零部件和设备企业从而协力发展半导体生态系统。目前集群用地建设进展顺利，SK海力士的首座工厂将入驻的第一阶段用地建设工程进展率约为42%，正在顺利进行中。龙仁集群内SK海力士第一座工厂将于2025年3月开工，预计在2027年5月竣工。同时，集群将投入约9000亿韩元（指股网备注：当前约47.16亿元人民币）建设迷你工厂。这座迷你工厂与实际量产环境相似，原材料、零部件和设备企业可以在此进行试制品验证，将会得到提高技术完成度的最佳解决方案。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，指股网所有文章均包含本声明。