首页
要闻详情
图标图标

台积电升级 CoWoS 封装技术,计划 2027 推出 12 个 HBM4E 堆栈的 120x120mm 芯片

亚汇网亚汇网
关注
2024-04-28 09:01:48
320
根据台积电官方描述,CoWo封装技术继任者所创建的硅中介层,其尺寸是光掩模(hotoak,也称Rticl,大约为858平方毫米)是3.3倍。CoWo封装技术继任者可以封装逻辑电路、8个H3/H3内存堆栈、I/O和其他芯粒(Chilt),最高可以达到2831平方毫米,最大基板尺寸为80×80毫米。消息称AD
根据台积电官方描述,CoWoS封装技术继任者所创建的硅中介层,其尺寸是光掩模(Photomask,也称Reticle,大约为858平方毫米)是3.3倍。CoWoS封装技术继任者可以封装逻辑电路、8个HBM3/HBM3E内存堆栈、I/O和其他芯粒(Chiplets),最高可以达到2831平方毫米,最大基板尺寸为80×80毫米。消息称AMD的InstinctMI300X和Nvidia的B200都使用这种技术。指股网附上截图如下:台积电计划2026年投产下一代CoWoS_L,硅中介层尺寸可以达到光掩模的5.5倍,可以封装逻辑电路、12个HBM3/HBM3E内存堆栈、I/O和其他芯粒(Chiplets),最高可以达到4719平方毫米。台积电还计划在2027年继续推进CoWoS封装技术,让硅中介层尺寸达到光掩模的8倍以上,提供6864平方毫米的空间,封装4个堆叠式集成系统芯片(SoIC),与12个HBM4内存堆栈和额外的I/O芯片。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

风险提示及免责声明

文章来源于亚汇网,转载注明原文出处,此文观点与指股网无关,理性阅读,版权属于原作者若无意侵犯媒体或个人知识产权,请联系我们,本站将在第一时间删掉 ,指股网仅提供信息存储空间服务。