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消息称三星电子曾考虑在美国建设先进 DRAM 内存晶圆厂,最终放弃

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2024-04-18 06:00:32
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根据报道称,三星电子本考虑在泰勒市建设一座10级先进制程的DRA内存晶圆厂,相关商讨一直持续到了协议签署前的最后一刻。美国方面为可能的内存厂建设计划提供了优厚的条件,三星方面也对此十分积极。不过,这一建厂计划受到一系列因素的阻挠,未能成真。一方面,在美国建设先进
根据报道称,三星电子本考虑在泰勒市建设一座10nm级先进制程的DRAM内存晶圆厂,相关商讨一直持续到了协议签署前的最后一刻。美国方面为可能的内存厂建设计划提供了优厚的条件,三星方面也对此十分积极。不过,这一建厂计划受到一系列因素的阻挠,未能成真。一方面,在美国建设先进内存厂在技术上较为困难,成本也较高;另一方面,韩国政府表达了反对意见。此外,美国和泰勒市方面都对先进封装业务的排污审批持配合态度。最终三星电子转而选择在美建设先进封装工厂。业内人士表示,相较于美国,韩国对于半导体行业的支持较差,这促使三星电子考虑在美建设先进内存厂,如果韩国政府不能拿出足够的诚意,那这类计划下次就将成为现实。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

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