指股网6月2日消息，据外媒Hardwaretimes报道，下一代英伟达旗舰显卡RTX5090将使用台积电的3nm工艺，预计将在明年年底推出。图源Pexels英伟达在去年推出的RTX40系显卡代号为AdaLovelace，而外媒Hardwaretimes称下一代英伟达RTX显卡的代号为Balckwell，并表示这些GPU将在台积电的3nm（N3）节点上制造，晶体管数量将超过150亿，密度接近3亿/mm?，核心时钟将超过3Ghz，总线密度将达到512bits。根据早前外媒Club386泄露的消息，基于GB102的RTX5090包含144组SM单元，也就是18432个CUDA（假设每组SM还是128个CUDA），比RTX4090多出12.5%，96MB二级缓存，匹配GDDR7显存（384bit位宽），支持PCIe5.0x16。而近日在台北Computex电脑展上，微星也一并展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。据介绍，微星使用了动态双金属鳍片(DynamicBimetallicFin)，六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的铜片。▲图源Club386▲图源Club386
文章来源亚汇网网由指股网整理发布，转载请注明出处。
