2026年8月27日讯，据知情人士透露，全球存储芯片巨头铠侠公司正在日本北部岩手县的生产基地建设第三座制造工厂，项目总投资预计超过1万亿日元（约合62.7亿美元），核心瞄准人工智能领域高速增长的存储设备需求，相关扩建计划预计将于周四晚间正式对外公布。
新工厂聚焦高密度3D闪存，核心产品已启动商业化出货
本次新建工厂是铠侠岩手县生产基地的第三座量产厂房，投产后将主要生产铠侠最新迭代的高密度3D闪存芯片，该类产品专门针对AI服务运行过程中产生的海量数据存储、高并发工作流调度需求设计，在连续读写速度、单元堆叠密度、长期运行能耗控制等维度较上一代产品均有明显提升。此前铠侠已于2026年7月正式启动第十代BiCS堆叠式NAND芯片的出货工作，该产品堆叠层数突破400层，单颗芯片存储容量较上一代提升超60%，是目前全球商业化落地的密度最高的消费级与工业级通用存储芯片之一。
相较于传统消费电子领域的存储产品，AI场景所需的存储芯片对稳定性、吞吐量、寿命都有更高要求，铠侠新一代3D闪存芯片通过架构优化，将单芯片连续读写寿命提升了2倍，同时可支持每秒超20GB的并行数据传输，能够适配大模型训练、云端推理等高强度工作负载需求。
AI产业爆发拉动存储需求，行业进入产能扩张周期
根据全球半导体行业协会2026年上半年发布的存储市场报告显示，2026年全球AI相关存储设备市场规模预计将达到1280亿美元，同比2025年增长72%，其中高密度3D NAND闪存的需求增速预计将超过110%，供需缺口预计将持续至2028年。此次铠侠扩产正是瞄准这一市场缺口，岩手县新工厂完全达产后，铠侠整体3D NAND闪存产能将提升35%左右，有望进一步巩固其在全球存储芯片市场的第二梯队领先位置。
目前全球头部存储厂商均已启动针对性扩产计划，三星电子此前宣布2026-2027年将在韩国平泽基地投资超20万亿韩元扩大3D NAND产能，核心供应AI服务器市场；美光科技也于2026年第二季度宣布在美国爱达荷州启动下一代存储芯片工厂建设，预计2028年投产。行业机构测算，2026-2028年全球存储厂商针对AI场景的扩产总投资将超过1500亿美元，仍难以完全覆盖市场增量需求。
日本半导体产业政策加持，铠侠拟联合闪迪申请政府补贴
值得注意的是，此次铠侠扩产项目符合日本政府近期推出的半导体产业扶持政策范畴，知情人士透露，铠侠将与合作方西部数据旗下闪迪品牌共同就该项目向日本经济产业省申请财政补贴。近年来日本持续加大对本土半导体产业的扶持力度，先后为台积电熊本工厂、索尼传感器生产基地、美光广岛工厂等项目提供了最高占总投资30%的财政补贴，核心目标是在先进存储、车载芯片、逻辑芯片代工等领域重建日本半导体产业的全球竞争力。
此次铠侠岩手县新工厂的建设，也将带动上游半导体材料、设备等配套产业的新增订单，预计将为日本东北地区创造超过2000个直接就业岗位，以及超8000个上下游关联就业岗位。目前日本经济产业省尚未对铠侠申请补贴的消息作出回应。
热点问题解答
Q：铠侠此次扩产的产品主要应用在哪些AI场景？
A：此次新工厂生产的高密度3D闪存芯片，主要面向AI大模型训练服务器、AI推理终端、云端数据中心存储集群、智能驾驶车载存储等场景，能够满足AI场景下PB级数据的高速读写、低延迟访问需求。
Q：此次扩产预计什么时候能够正式投产？
A：根据目前披露的建设规划，岩手县新工厂预计将于2027年第四季度完成土建及设备安装，2028年第一季度启动试生产，2028年下半年实现满负荷量产。
Q：申请日本政府半导体产业补贴需要满足哪些条件？
A：根据日本经济产业省的相关规定，申请半导体产业补贴的项目需要满足核心技术本土化、产能优先供应本土产业链、带动关联产业发展等条件，补贴比例最高可达项目总投资的30%。
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