2026年5月27日讯，全球电子设计制造大厂环旭电子发布了一项在功率半导体封装领域的重要进展。该公司宣布，其针对新世代功率解决方案所开发的先进功率半导体封装技术取得了实质性突破。这一消息迅速在半导体产业链及资本市场引发关注，被视为在新能源汽车、工业自动化及可再生能源等关键应用场景下，功率器件效能提升路径上的一个标志性节点。
技术核心：碳化硅晶粒预埋与单面铜裸露模块封装
根据官方披露，环旭电子的技术突破集中于两个核心层面。首先，是成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板之中。ABF（Ajinomoto Build-up Film）是一种广泛应用于高端芯片封装的绝缘材料，以其优异的电气性能和机械强度著称。将SiC晶粒预埋其中，意味着在封装结构的最底层就实现了主动元件与基板的高度集成，为后续的互连和散热设计奠定了新的基础。
其次，环旭电子创新采用了单面铜裸露（SSC）模块封装技术。这项技术使得业界标准的功率封装体能够整合传统上分离的陶瓷绝缘基板功能与先进的无线键合（Wire Bonding Free）工艺。简单来说，传统的功率模块通常需要额外的陶瓷基板来提供电气绝缘，而环旭电子的新设计让封装本体自身就具备了强大的电气绝缘能力。这一整合设计简化了封装结构，减少了材料层和互连界面。
性能优势：低杂散电感与极低导通阻抗
这种创新的封装架构为内绝缘功率分立器件带来了显著的技术提升。其最直接的优势体现在电气性能上：低杂散电感和极低的导通阻抗。在功率半导体，尤其是用于高频开关的碳化硅器件中，杂散电感是影响开关速度、产生电压尖峰和损耗能量的关键不利因素。环旭电子的新封装技术通过优化内部结构和互连方式，有效降低了这一参数。
同时，极低的导通阻抗意味着电流在器件内部流通时遇到的阻力更小。这直接转化为更低的导通损耗，即在相同电流下，器件自身发热更少，系统能效更高。对于电动汽车的电驱系统、光伏逆变器或数据中心电源等对效率极为敏感的功率解决方案而言，每一点效率的提升都意味着续航的增加、发电量的提升或运营成本的降低。
产业背景与市场影响
碳化硅作为第三代半导体的核心材料之一，因其高击穿电场、高导热率和高电子饱和漂移速度等特性，正逐步取代传统硅基器件在高压、高频、高温应用领域的地位。然而，碳化硅器件性能的充分发挥，高度依赖于与之匹配的先进封装技术。封装不仅提供保护和连接，更直接影响着器件的热管理、电气性能和可靠性。环旭电子此次在先进功率半导体封装技术上的突破，正是瞄准了这一产业链的关键环节。
将碳化硅晶粒预埋于ABF基板，并采用集成化绝缘设计，代表了封装技术从“后道附属”向“与芯片协同设计”的重要转变。这有助于缩小模块体积、提升功率密度，并可能降低系统级成本。对于下游的整车厂、设备制造商而言，更高效、更紧凑的功率模块意味着产品设计拥有更大的灵活性和竞争力。
行业舞台：PCIM Europe 2026的展示计划
环旭电子计划于2026年6月9日至11日，参加在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026展览会。PCIM Europe是电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域全球最重要的专业展览和会议之一。选择在此平台进行首次公开展示，足见环旭电子对该项技术的重视以及对其市场潜力的信心。
据悉，在展会上，环旭电子将不仅展示其最新的芯片预埋封装技术，还将呈现基于该技术开发的先进功率模块及系统整合解决方案。这将是行业客户、合作伙伴及投资者近距离评估该项技术创新性和实用性的关键机会。市场将密切关注其展示样品的具体性能参数、可靠性数据以及潜在的成本结构信息。
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