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占总预算 10% ,SK 海力士将投 10 亿美元提高 HBM 封装能力

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2024-03-07 15:02:02
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感谢指股网网友华南吴彦祖、彭博社报道称,测试和封装能力在总支出预算占比10%,表明SK海力士非常重要封装能力。指股网从报道中获悉,这项业务由...
感谢指股网网友华南吴彦祖、彭博社报道称,测试和封装能力在总支出预算占比10%,表明SK海力士非常重要封装能力。指股网从报道中获悉,这项业务由LeeKang-Wook领导,他曾在三星电子从事过类似的工作,其特长是结合不同的半导体材料和开发新的互连方法。LeeKang-Wook认为半导体行业的前50年致力于硅加工相关组件的初始阶段,而后50年将致力于芯片封装技术。LeeKang-Wook参与开发HBM2E内存芯片封装方法,SK海力士也正是凭借着封装方面的优势,被英伟达选中成为主要AI芯片供应商。作为一名三星工程师,LeeKang-Wook从2002年开始领导堆叠半导体元件层间互连技术的开发。这项技术后来为HBM内存芯片的诞生奠定了基础,最新一代的HBM内存芯片有12层,垂直连接。2013年,SKhynix和AMD率先在量产产品中使用了HBM,此后两年内没有任何竞争对手可以效仿,直到2015年底三星推出HBM2。SKhynix目前正在与日本公司合作,开发更先进的HBM存储器芯片垂直互连技术。2月底,三星宣布已完成12层HBM3E芯片的开发,单层堆栈可提供高达36GB的内存。美光科技(MicronTechnology)同时宣布推出8层HBM3E内存,单堆容量可达24GB。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

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