首页
要闻详情
图标图标

三星考虑将 MUF 技术应用于服务器 DRAM 内存

亚汇网亚汇网
关注
2024-03-04 09:00:50
407
经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DSRDIMM,而目前3DSRDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造...
经过测试,该公司得出结论,MUF不适用于高带宽内存(HBM),但非常适合3DSRDIMM,而目前3DSRDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造,主要用于服务器。MUF是一种在半导体上打上数千个微小的孔,然后将上下层半导体连接的TSV工艺后,注入到半导体之间的材料,它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。在此之前,三星已经在其现有的注册双列直插式内存模块(RDIMM)中使用了热压非导电膜(TCNCF)技术,而MUF是SK海力士用于制造高带宽内存(HBM)的技术(具体来说是MassRe-flowMoldedUnderfill,简称MR-MUF)。指股网查询发现,MUF是一种环氧树脂模塑化合物,自从着SK海力士成功将其应用于HBM生产后便在芯片行业愈发受关注,业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。资料显示,SK海力士所使用的化合物是与Namics合作开发的,而消息人士称三星则计划与三星SDI合作开发自己的MUF化合物,目前已经订购了MUF应用所需的模压设备。三星是世界最大的存储半导体龙头企业,如果三星也引入MUF,那么MUF可能会成为主流技术,半导体材料市场也会发生巨大的变化,不过三星电子相关人士对此回应称“无法确认内部技术战略”。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,指股网所有文章均包含本声明。

风险提示及免责声明

文章来源于亚汇网,转载注明原文出处,此文观点与指股网无关,理性阅读,版权属于原作者若无意侵犯媒体或个人知识产权,请联系我们,本站将在第一时间删掉 ,指股网仅提供信息存储空间服务。